织构表面碳化硅超精密研磨的原子模拟
编号：58
稿件编号：60 访问权限：仅限参会人
更新：2022-09-09 16:07:45 浏览：1004次
口头报告
报告开始：2023年04月23日 09:45 （Asia/Shanghai）
报告时间：15min
所在会议：[A] 第十四届全国青年表面工程论坛一 » [A1-1] 上午场
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摘要
利用分子动力学模拟研究了碳化硅的纳米织构表面在抛光过程中的性能表现，分析了不同尺寸的纳米织构表面对抛光表面质量、抛光力以及摩擦系数的影响，建立三体纳米抛光模型，并对两种不同形状的典型织构（沟槽和凹坑）进行对比。模拟结果表明：随着沟槽宽度和凹坑直径的增加，表面形貌（切屑体积）、抛光力和摩擦系数均得到改善，而且与非织构表面相比，沟槽宽度的增大使得抛光温度和系统能量变化减小，并发现当织构尺寸过小或者超过临界值时织构对改善抛光条件的作用大大减弱。通过对抛光后的表面形貌图分析得出合理参数的表面织构可以改善抛光中碳化硅的晶格变形和弹性形变以及摩擦磨损状况，为今后工业中提高碳化硅材料的应用提供重要理论指导和新思路。
关键字
表面织构；表面形貌；三体抛光；分子动力学；摩擦系数
报告人
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