由于兼具优异机械、耐蚀及压阻传感特性，金属掺杂类金刚石碳（DLC）薄膜作为严苛工况用新型传感材料而备受关注。但受限于薄膜组分及结构复杂性，相关压阻行为及载流子输运机理不明。本研究采用线性离子束复合直流磁控溅射技术，通过调整溅射电流制备了Cu含量1.0-67.7 at.%的Cu-DLC薄膜，研究了相关压阻行为和电学特性。结果表明，随铜含量增大，薄膜中sp²含量增大并出现Cu纳米晶，压阻系数GF从5.6下降到1.4，这主要是由于隧穿距离随导电相增多而减小。在100-350 K范围，随Cu含量增加，薄膜电阻温度系数TCR从-3646增加到294 ppm/K，说明薄膜电学性能由半导体向金属特性转变。对于半导体特性样品（Cu含量9.4-51.3 at.%），在270到350 K范围内载流子输运为热激活型，在100到270K为三维Mott变程跳跃传导。导电原子力显微镜I-V测试表明，铜含量20.6 at.%至67.7 at.%样品出现阙值电压，且随铜含量增大，该值从0.5 V逐渐下降到0 V，说明薄膜导电特性由隧穿向渗流传导转变。
 

类金刚石碳薄膜，Cu掺杂，微结构，压阻行为，载流子输运机理