双极高能脉冲磁控溅射特性调控及其沉积速率分析
编号：152
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更新：2023-04-09 15:01:07
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口头报告
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摘要
双极高能脉冲磁控溅射技术(BHiPIMS)用于实现等离子体中离子加速，可提高薄膜的沉积速率。采用分析模型进一步评价了BHiPIMS的沉积速率。通过对正脉冲（Kick pulse）相关参数的调制，研究了正脉宽、正脉冲电压对铜薄膜的沉积速率、形貌、结构和力学性能的影响，比较了与传统偏压作用的差异，更好地了解BHiPIMS工艺参数与涂层性能之间的相关性。结果表明100us正脉宽、50V正脉冲电压得到的沉积速率最高。在恒定正脉冲电压条件下，随着正脉宽的增加，沉积速率达到稳定。在恒定正脉宽条件下，随着脉冲电压的增加，沉积速率先增加后降低。薄膜结合力明显提高，电阻率降低，拉应力逐渐转变为压应力。
关键字
BHiPIMS；沉积速率；Cu膜；性能
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