精准修复铜基石墨烯缺陷的普适性方法
编号：208
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更新：2023-03-28 14:15:02
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口头报告
报告开始：2023年04月23日 15:25 （Asia/Shanghai）
报告时间：15min
所在会议：[Y2] 第十四届全国青年表面工程论坛二 » [M2] 下午场
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摘要
化学气相沉积方法在制备铜基石墨烯薄膜的过程中不可避免的会出现空位、孔洞、石墨烯岛边界、裂纹等缺陷，这些缺陷会导致石墨烯的导电性能和腐蚀屏蔽性能等关键性能急剧降低，甚至石墨烯与基底铜之间的电偶腐蚀会加速金属基底的腐蚀速率。我们提出含有疏水官能团的功能分子与缺陷暴露出的铜基底形成化学键，从而精准且高效的修复铜基石墨烯缺陷，这种方法对铜基石墨烯表面的各种尺寸和各种类型的缺陷都具有普适性的修复效果，该方法可以衍生出大量的修复石墨烯缺陷的功能分子，且缺陷修复后石墨烯的导电性能不受影响，长效腐蚀屏蔽性能显著提升。
关键字
铜基石墨烯; 缺陷; 电偶腐蚀; 修复; 电学性能
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