磁控溅射等离子体应用--PEMFC双极板薄膜改性
编号:1197 稿件编号:556 访问权限:仅限参会人 更新:2023-03-29 15:50:06 浏览:496次 特邀报告

报告开始:2023年04月23日 08:20 (Asia/Shanghai)

报告时间:20min

所在会议:[B2] 薄膜科技论坛二 » [B2-1] 上午场

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摘要
质子交换膜燃料电池(PEMFC)作为解决能源枯竭问题的有效方式,对其关键部件之一,双极板(BP)的应用研究倍受关注。以薄金属极板替代大体积、超重的块体石墨材料成为缩小电池体积、减轻电池重量的首选。在PEMFC酸蚀耦合电极电位系统中,金属极板被腐蚀并钝化,降低了电池运行转换效率和长效稳定性。因此,对金属极板薄膜的表面改性及长效腐蚀机制的研究成为焦点。
本文采用热钨丝增强等离子体磁控溅射技术,在轻质Ti6Al4V(TC4)合金表面制备了氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氮化钛铝(TiAlN)及Pt掺杂TiAl(Pt)N系列薄膜。改变热丝放电电流调控溅射等离子体密度,即改变基体偏流密度,有效调控氮化物薄膜致密度和内应力,以期薄膜有效地阻止酸蚀介质与基体接触。通过对薄膜形貌、结构取向、应力应变、接触电阻及模拟工况环境的耐蚀性能表征分析,研究氮化物系列薄膜对TC4极板的表面改性功能,揭示其长效腐蚀机制。
(1)热丝放电电流由0A增加至32A,CrN薄膜致密化,结构取向由低应能转变为低表面能,化学组成由富铬变为贫铬,接触电阻10~49 mΩ·cm2;与TC4相比,致密CrN/TC4的自腐蚀电位提升,自腐蚀电流密度降低,EIS阻抗谱及拟合电路图证明两者具有相同的腐蚀模式。模拟极板阴极工况浸泡20周的结果显示,适当放电电流(16A)下获得的致密CrN薄膜蚀损最小,接触电阻升幅最小。致密、低应变且化学剂量比平衡是薄膜长效耐蚀的关键因素。
(2)热丝放电电流增加,TiN薄膜致密化,低应能变(111)取向不变,接触电阻升至5~30 mΩ·cm2;致密TiN/TC4与基体的自腐蚀电位和腐蚀电流密度相当,腐蚀模式类似。模拟极板阴极工况浸泡3周,TiN薄膜表面氧化且发生局部腐蚀;浸泡20周,疏松薄膜为腐蚀介质提供通道而脱落,致密薄膜部分脱落。
(3)热丝放电电流16A时,制备态CrN及TiN薄膜的耐蚀达DOE标准,导电性接近标准。模拟极板阴极工况浸泡3周后,CrN薄膜表面未产生明显缺陷,TiN薄膜出现蚀坑;20周后,CrN薄膜表面出现蚀坑,TiN薄膜脱落失效。
(4)与TiN薄膜相比,Al固溶于TiN晶格,导致TiAlN薄膜柱状晶细化,呈低表面能TiN(200) 取向,内应力增大,自腐蚀电位小幅下降,自腐蚀电流小幅上升;金属Pt掺杂,TiAl(Pt)N薄膜韧性提升,内应力下降,接触电阻低至9.85 mΩ·cm2,自腐蚀电位和电流均升高。模拟极板阴极工况浸泡3周,TiN及TiAl(Pt)N薄膜表面出现蚀坑,TiAlN薄膜从TC4基体脱落。高内应力是TiAlN薄膜脱落的原因;Pt的金属性及原电池效应是TiAl(Pt)N薄膜接触电阻低、长效耐蚀性差的原因。
(5)热钨丝增强等离子体磁控溅射技术中,调控热丝放电电流,便于调控磁控溅射等离子体密度,有助于生长中的薄膜受到能量适中、频次可调的等离子轰击。采用此技术稳定制备的结构致密、残余内应力较低的氮化物陶瓷薄膜为其在酸蚀耦合电极电位的PEMFC环境中的应用提供了可能。
 
关键字
燃料电池;钛极板;氮化物薄膜;长效耐蚀性;接触电阻
报告人
周艳文
辽宁科技大学

稿件作者
艳文 周 辽宁科技大学
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